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El desafío de la fotolitografía de vanguardia en China

China actualmente prioritiza su autonomía tecnológica para desafiar la supremacía de los Estados Unidos de forma contundente. Ineludiblemente, la nación asiática impulsa la fotolitografía de vanguardia en China para asegurar su soberanía militar y económica. Actualmente, gigantes como Huawei y SMIC dependen de maquinaria neerlandesa para su producción de semiconductores de alta densidad. Sin embargo, el uso de técnicas como el múltiple patronado compromete seriamente su competitividad en el mercado global. Por consiguiente, el gobierno respalda financieramente a empresas con capacidad de desarrollar equipos de fotolitografía sumamente avanzados. Dos proyectos extraordinariamente ambiciosos buscan producir circuitos integrados de nueva generación antes de que finalice la década actual. De este modo, China pretende eliminar su dependencia externa mediante innovaciones tecnológicas verdaderamente disruptivas.

La máquina híbrida de Shenzhen y la fuente LDP

El primer pilar de esta estrategia es la máquina UVE híbrida desarrollada en Shenzhen. Ciertamente, este equipo representa un hito fundamental para la fotolitografía de vanguardia en China contemporánea. A diferencia de los sistemas de ASML, este prototipo utiliza una fuente de luz ultravioleta de tipo LDP fidedignamente. Esta descarga inducida por láser genera una radiación con una longitud de onda de trece punto cinco nanómetros. No obstante, la fotolitografía de vanguardia en China del Instituto de Tecnología de Harbin también experimenta con fuentes de plasma generado por láser de cien vatios. Por otro lado, el Instituto de Changchun fabrica espejos críticos mediante sofisticadas técnicas de pulido atómico actualmente. Estas piezas igualan las prestaciones de los componentes producidos por ZEISS para la industria europea de semiconductores. Ineludiblemente, los primeros circuitos de prueba se producirán en el año dos mil veintiocho.

El sincrotrón de Tsinghua: Proyecto SSMB-UVE

El segundo proyecto, denominado SSMB-UVE, involucra a la Universidad Tsinghua y la Academia China de Ciencias de forma heurística. Esta iniciativa utiliza un sincrotrón HEPS para generar radiación ultravioleta de alta potencia de manera constante. Esencialmente, este acelerador de partículas circular funcionará como una central de energía fotónica para diversas plantas de fabricación. De este modo, las fábricas de semiconductores rodearán el acelerador para recibir luz UVE de forma directa. Ineludiblemente, este enfoque representa una evolución estructural para la fotolitografía de vanguardia en China a largo plazo. Aunque la máquina híbrida estará lista antes, el sincrotrón ofrece una fuente de radiación de próxima generación superior. Efectivamente, el proyecto ya ha completado con éxito las fases de verificación de los haces de partículas.

Materiales avanzados y el horizonte de 2030

Adicionalmente, el desarrollo de fotorresistencias químicas resulta ser un factor concomitante crítico para el éxito del programa nacional. La Universidad Tsinghua presentó recientemente avances en fotorresistencias de politeluoxano para interactuar con la longitud de onda UVE. Asimismo, la empresa Xuzhou B&C Chemical prevé producir materiales avanzados en un periodo no mayor a cinco años. Por consiguiente, el ecosistema de la fotolitografía de vanguardia en China se fortalece mediante una integración vertical sumamente prolija. Axiomáticamente, la fabricación de chips a gran escala comenzará oficialmente no más allá del año dos mil treinta. China apuesta por soluciones de ingeniería inversa e innovaciones propias para liderar la industria de alta tecnología. En conclusión, la carrera por los chips de vanguardia definirá la hegemonía mundial del presente siglo.

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Fuente: 
xataka.com