Huawei ha anunciado la resolución de un desafío tecnológico fundamental. Este avance promete incrementar significativamente la competitividad de China en inteligencia artificial (IA) frente a Estados Unidos. Además, apunta a reducir la dependencia de chips extranjeros, un factor clave para el desarrollo tecnológico.
El desafío tecnológico en la industria china de memorias para IA
En el desarrollo de hardware para IA, China enfrenta obstáculos importantes. La ausencia de acceso a equipos de fotolitografía ultravioleta extremo (UVE), fabricados por la empresa neerlandesa ASML, limita la producción de GPUs para IA comparables a las más avanzadas. Estas GPUs son fabricadas por NVIDIA, AMD o Cerebras. Esta restricción frena la capacidad china para competir en el diseño de chips de alto rendimiento.
Competencia en memorias HBM: un factor determinante
La colaboración entre GPUs para IA y chips de memoria HBM es fundamental para el rendimiento. Mientras que fabricantes surcoreanos como SK Hynix y Samsung, junto a la estadounidense Micron Technology, producen memorias HBM3E de 12 capas con gran éxito, los productores chinos aún no han alcanzado ese nivel. Según SemiAnalysis, el ancho de banda total de los chips HBM3 en GPUs avanzadas supera los 819 GB/s. Esto es muy superior a las memorias DDR5 o GDDR6X, que alcanzan solo 70,4 GB/s y 96 GB/s respectivamente.
Huawei y su apuesta por el empaquetado avanzado
El medio estatal chino Securities Times ha revelado que Huawei presentará un avance tecnológico en el Foro de Aplicaciones y Desarrollo de Razonamiento de IA Financiera 2025, en Shanghái. Este avance probablemente involucra un empaquetado de vanguardia que permitirá a China fabricar memorias HBM3 y HBM3E con tecnología competitiva frente a SK Hynix, Samsung y Micron. El proceso de fabricación es complejo. Requiere apilar múltiples chips DRAM e implementar interfaces densas que conectan la XPU con la memoria. En una pila HBM3E se utilizan más de 1.000 conductores.
Perspectivas de la industria china y global
Mientras SK Hynix, Samsung y Micron fabrican a gran escala memorias HBM3E de 12 capas, las firmas surcoreanas planean lanzar chips HBM4 en el segundo semestre de 2025, y Micron en 2026. En contraste, CXMT, una empresa china, ha anunciado que lanzará sus primeros chips HBM3E para 2027. El avance de Huawei podría acelerar la entrada de China en este mercado altamente competitivo.
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